全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺階儀P-170該系統(tǒng)結(jié)合了UltraLite®傳感器、恒力控制和超平掃描平臺，因而具備出色的測量穩(wěn)定性。通過點(diǎn)擊式平臺控制、頂視和側(cè)視光學(xué)系統(tǒng)以及帶光學(xué)變焦的高分辨率相機(jī)等功能，程序設(shè)置簡便快速。P-170具備用于量化表面形貌的各種濾鏡、調(diào)平和分析算法，可以支持2D或3D測量。并通過圖案識別、排序和特征檢測實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測量。

一、 全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺階儀功能

    設(shè)備特點(diǎn)

    ·臺階高度：幾納米至1000μm

    ·微力恒力控制：0.03至50mg

    ·樣品全直徑掃描，無需圖像拼接

    ·視頻：500萬像素高分辨率彩色攝像機(jī)

    ·圓弧校正：消除由于探針的弧形運(yùn)動(dòng)引起的誤差

    ·軟件：簡單易用的軟件界面

    ·生產(chǎn)能力：通過測序、圖案識別和SECS/GEM實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化

    ·晶圓機(jī)械傳送臂：自動(dòng)加載75mm至200mm不透明（例如硅）和透明（例如藍(lán)寶石）樣品

主要應(yīng)用

    ·臺階高度：2D和3D臺階高度

    ·紋理：2D和3D粗糙度和波紋度

    ·形狀：2D和3D翹曲和形狀

    ·應(yīng)力：2D和3D薄膜應(yīng)力

    ·缺陷復(fù)檢：2D和3D缺陷表面形貌

    工業(yè)應(yīng)用

    ·半導(dǎo)體

    ·化合物半導(dǎo)體

    ·LED：發(fā)光二極管

    ·MEMS：微機(jī)電系統(tǒng)

    ·數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

    ·汽車

二、應(yīng)用案例

    ·臺階高度

    P-170可以提供納米級到1000μm的2D和3D臺階高度的測量。 這使其能夠量化在蝕刻，濺射，SIMS，沉積，旋涂，CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-170具有恒力控制功能，無論臺階高度如何都可以動(dòng)態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。 這保證了良好的測量穩(wěn)定性并且能夠精確測量諸如光刻膠等軟性材料。

    ·紋理：粗糙度和波紋度

    P-170提供2D和3D紋理測量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測量值分為粗糙度和波紋度部分，并計(jì)算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數(shù)。

    ·外形：翹曲和形狀

    P-170可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導(dǎo)致這種翹曲的原因。P-170還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

    ·應(yīng)力：2D和3D薄膜應(yīng)力

    P-170能夠測量在生產(chǎn)包含多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件期間所產(chǎn)生的應(yīng)力。使用應(yīng)力卡盤將樣品支撐在中性位置并精確測量樣品翹曲。 然后通過應(yīng)用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計(jì)算應(yīng)力。2D應(yīng)力通過在直徑達(dá)200mm的樣品上通過單次掃描測量，無需圖像拼接。3D應(yīng)力的測量采用多個(gè)2D掃描，并結(jié)合θ平臺在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對整個(gè)樣品表面進(jìn)行測量。

    ·缺陷復(fù)檢

    缺陷復(fù)查用于測量如劃痕深度之類的缺陷形貌。 缺陷檢測設(shè)備找出缺陷并將其位置坐標(biāo)寫入KLARF文件。 “缺陷復(fù)檢"功能讀取KLARF文件、對準(zhǔn)樣本，并允許用戶選擇缺陷進(jìn)行2D或3D測量。